| 型号： | RFD3055LE | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| RFD3055LE PDF |  |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图 | I-PAK, I2PAK Pkg |
| 标准包装 | 75 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 107 毫欧 @ 8A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 38W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 包装 | 管件 |
| 产品目录页面 | 1608 (CN2011-ZH PDF) |